顆粒等拋光液組分對(duì)硬盤(pán)盤(pán)基片拋光的影響

硬盤(pán)盤(pán)基片粗拋光必須在較高材料去除率的基礎(chǔ)上獲得高表面質(zhì)量。分別用合成法和粉碎法制得的α-A|l2O3顆粒做了拋光實(shí)驗(yàn),并分析了拋光液中氧化劑、絡(luò)合劑含量和拋光液pH值對(duì)材料去除率的影響機(jī)制。結(jié)果表明：用合成法制得的顆粒拋光后基片表面凹坑嚴(yán)重,降低拋光液配方中氧化劑的含量,雖可使表面粗糙度（Ra）和表面波紋度（Wa）大幅降低,但材料去除率也大幅下降,該顆粒不適合基片粗拋光;用粉碎法制得的顆粒拋光后基片表面劃痕密集,加入一定量的減阻劑后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍維持在較高的水平,因此減阻劑可平衡該顆粒的材料去除率和拋光表面質(zhì)量;粉碎法制得的顆粒拋光液中,隨氧化劑和絡(luò)合劑的增加,材料去除率均呈先升后降趨勢(shì);pH值的升高會(huì)使材料去除率下降,但酸性太強(qiáng)會(huì)引起過(guò)腐蝕,適宜的pH在2.0-3.0之間。

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